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文 | 半导体产业纵横
2.5D 封装正成为撑执 AI 芯片高性能需求的中枢本领之一。
SK 海力士准备去好意思国诞生一个先进封装产线，有设想插足 38.7 亿好意思元，诞生一个 2.5D 封装量产线。到 2028 年下半年，隆重插足运营。同期，台积电也正在对现存的 8 英寸和 12 英寸晶圆厂进行要紧升级创新，把主要坐褥 90 纳米及以上制程的芯片的工场，重心升级装配支执芯片封装（CoWoS）和芯片封装（CoPoS）本领的先进封装坐褥线。
这些行为响应出一个趋势：半导体制造已进入"晶圆代工 2.0 "时间，制造、封装与测试的深度整合成为新的竞争焦点。
01 2.5D 封装，有多重要？
跟着东说念主工智能本领快速发展，先进封装已卓越制程工艺成为半导体行业最热点规模。Yole 集团数据夸耀，大家先进封装商场到 2030 年达到约 800 亿好意思元，将以 9.4% 的年复合增长率执续增长。
这一演变并非一蹴而就。从 1950 年代的点对点封装（>0.5mm I/O 间距），到 1970 年代的操纵穿孔封装（
那么，什么是 2.5D 封装？
节略来说，2.5D 封装是一种通过硅中介层（Silicon Interposer）或镶嵌式桥接本领（如英特尔的 EMIB）将多个芯片水平联结起来的本领。与传统的 2D 封装比较，它允许在单一封装内集成更多功能单位，比如 CPU、GPU、内存（HBM）和 I/O 模块；而与复杂的 3D 堆叠比较，它又幸免了过高的制造难度和热管制挑战。这种"不上不下的中间气象"恰巧为 AI 芯片提供了好意思满的均衡。
AI 芯片的一个权贵特色是需要高带宽和低延迟的芯片间通讯。举例，锻真金不怕火一个深度学习模子时，GPU 需要与高带宽存储器（HBM）快速交换数据，而传统的封装本领频频受限于互连带宽和功耗。2.5D 封装通过在芯片间引入高密度互连通说念，权贵擢升了数据传输结果，同期保执了相对节略的制造经由。这使得它绝顶符合 AI 加速器和数据中心处理器等高性能应用。
当今用于整合 AI Chiplets ( 举例 GPU 以及存储 ) 的主要先进封装本领，有两种。一种是硅中介层决议，如台积电的 CoWoS，先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）工艺联结至硅晶圆，再与基板整合；另一种是 RDL 中介层决议，如 FOCoS（Fan Out Chip-on-Substrate），将芯片置于 RDL 介面上进行整合。
若 RDL Interposer 上内埋有桥接结构（Bridge），则称为 FOCoS-Bridge 或 FO-Bridge 封装。举例 AMD MI250，即是将 GPU 跟 HBM 整合在 RDL Interposer 上头，愚弄内埋的桥接结构提供较细的表示来联结 GPU 跟 HBM。
台积电的 CoWoS 严格来说也属于 2.5D 先进封装本领，由 CoW 和 oS 组合而来：先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的封装制程联结至硅晶圆，再把 CoW 芯片与基板（Substrate）联结，整合成 CoWoS。英特尔在 2.5D 上有多个决议：EMIB 2.5D、Foveros-S 2.5D、Foveros-B 2.5D。
现时，HBM4 是使用 2.5D 封装的典型代表，诸如 AMD、NVIDIA 等企业已推出多款基于 2.5D 硅中介层的家具。
瞻望将来，行业的发展旅途正在渐渐了了。IMEC 以为，互连层级与系统分区是 3D 集成的中枢逻辑。2D 互连依赖平面布线与垂直过孔，而 3D 互连通过硅通孔（TSV）、微凸点、铜 - 铜径直键合等本领，已毕芯片堆叠与中介层集成，形成从晶体管到封装基板的完整互连体系。
将来行业主要有两大发展标的：2.5D 芯粒集成通过程序化总线接口已毕落寞芯片互连；3D-SOC 则通过协同设想，将片上互连网罗延迟至 3D 空间，大幅擢升互连密度。
2.5D 封装的枢纽在于中介层。
台积电 CoWoS 本领的硅中介层尺寸从 2016 年的 1.5 倍光刻版尺寸（约 1287mm ²）演进至现时的 3.3 倍（约 2831 mm ²），可支执 8 个 HBM3 堆叠，并有设想 2026 年扩展至 5.5 倍尺寸（4719mm ²）以兼容 12 个 HBM4 堆叠。
跟着 HBM 接口带宽擢升，中介层的复杂度也在增多。当今典型中介层最多有四层金属，但已有家具袭取多达十层的设想。联电先进封装总监指出："在 HBM4 之后，就需要八到九层金属层。"层数增多会推高成本，同期带来机械强度与翘曲适度的挑战。日蟾光高等总监曹立宏默示："为了裁减互连旅途并提高信号完整性，中介层厚度不休减小，但需在厚度与机械雄厚性之间得回均衡。"
现时绝大大齐中介层为无源结构，仅提供互连功能。但由于硅中介层由半导体材料制成，将来有望集成晶体管，发展为有源中介层，用于电源管制、I/O 或光器件集成，尤其适用于 AI 和高性能揣摸场景。
据 semiengineering 分析，为了幸免崇高的成本，当今业内有两种姿色：一种措施是寻找比硅更低廉的材料。有机中介层在材料和制酿成本方面齐更低，因为它是在面板上而非晶圆上制造的。硅需要后头研磨来表示硅通孔（TSV），而有机中介层则无需这些工艺要领。另一种姿色是，使用硅桥接器代替硅中介层。每个桥接器的尺寸齐小得多，从而不错提高良率。一个桥接器（或多个桥接器）的成本将远低于一个硅中介层的成本。
国内这边，2025 年 10 月份，盛合晶微科创板 IPO 苦求已获受理。公司是中国大陆最早已毕 12 英寸 Bumping 量产的企业之一，亦然首家提供 14nm 先进制程 Bumping 作事的企业，具备 2.5D/3D IC 超高密度微凸块的大限度量产才略。
在基于 TSV 硅中介层的 2.5D 集成方面，盛合晶微是国内最早量产、限度最大的企业之一。据灼识接头统计，其 2024 年在中国大陆 2.5D 封装商场的收入份额约为 85%，本领才略与大家进步企业不存在代差。
长电科技推出XDFOI 高密度扇出型封装平台，具备 2.5D 封装才略，可支执 4nm 节点 Chiplet 家具封装。该平台通过多层 RDL 布线和微凸点本领，已毕芯片间的高密度互连，应用于转移终局、边际 AI 等规模，本领方针达到国际先进水平。
通富微电在 2.5D/3D 封装规模得回打破，与 AMD 等客户合营，已毕大尺寸 FCBGA 和 2.5D 封装量产。其 TSV 工艺成本较国际低 40%，并通过合并开发 HBM 本领，擢升封装集成才略，支执高性能揣摸、GPU 等应用场景。
华天科技布局 2.5D 封装本领，12 英寸晶圆级 TSV 产线聚焦 CIS、MEMS 等应用，良率达到 85%。通过优化工艺经由和材料选拔，擢升封装性能和可靠性，迟缓削弱与国际先进水平的差距。
02 3D 封装是下一步
2.5D 仅仅过渡阶段，3D 封装才是下一成见，最大的克己是把连线距离大大裁减了。3D 封装是通过垂直堆叠已毕芯片立体集成，中枢本领包括硅通孔（TSV）和搀和键合（Hybrid Bonding）。
TSV 本领通过聚合硅片的垂直导电通说念联结堆叠芯片，如三星 X-Cube 本领基于 TSV 已毕 SRAM 与逻辑芯片的 3D 堆叠，裁减信号旅途以擢升速率和能效。搀和键合本领（如台积电 SoIC 的 Cu-Cu 键合）则通过金属径直键合摈斥微凸点弊端，已毕 10 μ m 以下互连间距，带宽密度可达 1TB/s/mm ²，较传统微凸点擢升 10 倍。
为支执这一溜型，ASML 如故向客户录用第一台专为先进封装应用开发的光刻机" TWINSCAN XT:260 "，可用于 3D 芯片、Chiplets 芯粒的制造与封装。
XT:260 的成见是责罚芯片封装日益增长的复杂性，知足全行业向 3D 集成、芯粒架构的转型，尤其是更大曝光面积、更高混沌量的条目。袭取波长为 365 纳米的 i 线光刻本领 ( i-line lithography ) ，别离率约为 400 纳米，NA ( 孔径数值 ) 0.35，坐褥速率高达每小时 270 块晶圆，是现存先进封装光刻机的足足 4 倍。
此外，泛林集团也在客岁 9 月晓示，已开发出用于先进半导体封装的新式千里积开拓" Vector Teos 3D "。该新家具是面向东说念主工智能（AI）和高性能揣摸（HPC）芯片制造的开拓，其主要特色在于随机疏漏"异质集成"（即联结不同半导体）和三维（3D）垂直堆叠过程中出现的各样本领难题。
03 结语
除了自建先进封装产能的 SK 海力士，越来越多的企业收拢契机，齐在加速扩产先进封装。
日蟾光 2025 年 9 月晓示，将 K18B 厂房的新建工程发包给福华工程股份有限公司，此举旨在疏漏将来先进封装产能的蔓延需求。11 月又默示，子公司日蟾光半导体董事分解过两项要紧不动产与扩厂决议，准备扩产以疏漏 AI 带动芯片应用强盛增长及客户对先进封装测试产能的艰苦需求。
大家第二大 OSAT 企业 Amkor（安靠）在 2025 年 8 月晓示，对其在好意思国亚利桑那州皮奥里亚市的先进封测设施口头进行要紧调节。新厂选址仍在皮奥里亚市，但占大地积从原先的 56 英亩扩大至 104 英亩，着实翻倍。
长电科技保执全年 85 亿元成本支拨有设想，重心投向先进封装的本领打破，以及汽车电子、功率半导体、动力商场等需求增长最快的规模；华天科技在客岁完成了 ePoP/PoPt 高密度存储器及应用于智能座舱与自动驾驶的车规级 FCBGA 封装本领，2.5D/3D 封装产线完成通线。
大家产能的密集落地绵阳配资炒股资讯整合网站_股票配资学习与行情参考，印证了先进封装已从制造要道跃升为半导体竞争的中枢赛说念，枢纽在于谁更快霸占先机。
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